「芯片法案」剛通過(guò)，佩洛西竄訪(fǎng)臺(tái)積電，與董事長(zhǎng)劉德音會(huì)晤：想拿美國(guó)補(bǔ)貼，就必須「選邊站」。臺(tái)積電官方對(duì)此次事件拒絕評(píng)論。

在「芯片法案」已經(jīng)獲得通過(guò)的大背景下，佩洛西此次竄臺(tái)，與臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音的會(huì)面?zhèn)涫荜P(guān)注。

據(jù)報(bào)道，二人主要討論了這一法案（又稱(chēng)「芯片與科學(xué)法案」）的實(shí)施。

此前，佩洛西的臺(tái)積電行程并未單獨(dú)出現(xiàn)在其官方公布的行程計(jì)劃內(nèi)，而是與其他臺(tái)灣高官的會(huì)面計(jì)劃捆綁一起的。

臺(tái)積電官方拒絕對(duì)此次會(huì)面做出評(píng)論。

竄訪(fǎng)臺(tái)積電，逼它「選邊站」？

美國(guó)此次通過(guò)的「芯片法案」與臺(tái)積電密切相關(guān)。

目前，臺(tái)積電正在美國(guó)亞利桑那州建造一座價(jià)值120億美元的5納米制程晶圓廠(chǎng)，預(yù)計(jì)于2024年投產(chǎn)。

不過(guò)按照臺(tái)積電的技術(shù)路線(xiàn)圖，到2024年時(shí)，5納米已經(jīng)不是最先進(jìn)的技術(shù)，公司沒(méi)有將最先進(jìn)的芯片工廠(chǎng)建在海外。

按照美國(guó)的「芯片法案」，去美國(guó)本土建廠(chǎng)的芯片企業(yè)，都可以從520億美元的巨額補(bǔ)貼中分一杯羹，雖然大概率沒(méi)有英特爾拿得多，但有錢(qián)拿總是好事。

相比之下，臺(tái)積電設(shè)在中國(guó)大陸地區(qū)的工廠(chǎng)，技術(shù)至少落后最先進(jìn)技術(shù)「兩代以上」。

臺(tái)積電在南京建有一座12英寸晶圓代工廠(chǎng)，采用的是16納米和28納米工藝的成熟技術(shù)，在上海也有一個(gè)8英寸晶圓廠(chǎng)。

目前，臺(tái)積電對(duì)中美兩國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，都有難以替代的重要作用。而臺(tái)積電也一直在美國(guó)和中國(guó)之間試圖取得平衡。

不過(guò)，此次通過(guò)的「芯片法案」規(guī)定，要想接受美國(guó)政府的補(bǔ)貼和資助，就必須承諾不在中國(guó)大陸地區(qū)增加先進(jìn)芯片的產(chǎn)能。

看起來(lái)，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，「選邊站」似乎是免不了的事了。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音此前在接受CNN采訪(fǎng)時(shí)說(shuō)，沒(méi)有人可以用武力控制臺(tái)積電，因?yàn)槿魏诬娛滦袆?dòng)或 都會(huì)導(dǎo)致 「臺(tái)積電工廠(chǎng)無(wú)法運(yùn)作」 。他還說(shuō)，臺(tái)積電不應(yīng)該僅僅因?yàn)殡x中國(guó)大陸近而受到「歧視」。

由此次佩洛西竄訪(fǎng)導(dǎo)致的兩岸緊張氣氛，更是體現(xiàn)在了分析人士的觀(guān)點(diǎn)中。

他認(rèn)為：大陸和臺(tái)灣的芯片企業(yè)，主要是競(jìng)爭(zhēng)，而且是殘酷競(jìng)爭(zhēng)，沒(méi)有合作，或者說(shuō)是競(jìng)爭(zhēng)大于合作。

「臺(tái)灣芯片企業(yè)在大陸是利用大陸的政策、資金、資源、人才，尤其是利用大陸的市場(chǎng)?！顾f(shuō)。

「芯片法案」下周簽署

這項(xiàng)讓佩洛西「竄訪(fǎng)」臺(tái)積電的「芯片法案」，已經(jīng)在7月底憑借著眾議院243-187票和參議院64-33票獲得了通過(guò)。

其最終版本的資金規(guī)模高達(dá)2800億美元，除了包含此前520億美元對(duì)芯片企業(yè)的建廠(chǎng)補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠外，還包含投資2000億美元加強(qiáng)人工智能等技術(shù)領(lǐng)域的研究，100億美元建設(shè)20個(gè)技術(shù)研究中心以及其他數(shù)十億美元的投資等等。

此外，該法案將在五年內(nèi)撥款超過(guò)1700億美元用于促進(jìn)美國(guó)的科學(xué)研究。

英特爾透露，通常來(lái)說(shuō)建造建造一座新的晶圓廠(chǎng)，成本大概需要100億美元。而有了「芯片法案」，企業(yè)就能節(jié)省其中的30億美元。

隨后，美國(guó)白宮在8月3日的一份新聞聲明中表示，拜登將于8月9日對(duì)法案進(jìn)行簽署。

至此，這項(xiàng)醞釀了兩年的「芯片法案」，距離落地也只差最后的臨門(mén)一腳了。

韓國(guó)巨頭重新觀(guān)望

在「芯片法案」的影響下，韓國(guó)的芯片制造商也開(kāi)始對(duì)中國(guó)市場(chǎng)有所顧忌。

分析師和業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng)，日益加劇的緊張局勢(shì)可能讓三星和SK海力士不得不重新審視在中國(guó)的投資戰(zhàn)略。

曾任韓國(guó)貿(mào)易部長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)官員Yeo Han-koo表示，韓國(guó)芯片制造商針對(duì)美國(guó)和中國(guó)的「戰(zhàn)略調(diào)整」已經(jīng)開(kāi)始。

三星在去年就宣布正在美國(guó)德克薩斯州投資170億美元，新建一座晶圓代工廠(chǎng)，以期趕上對(duì)手臺(tái)積電。拜登在5月訪(fǎng)韓期間，參觀(guān)了三星的平澤工廠(chǎng)。

而在上個(gè)月SK集團(tuán)的董事長(zhǎng)宣布在美國(guó)投資220億美元的半導(dǎo)體、電動(dòng)汽車(chē)電池和綠色技術(shù)，包括新的先進(jìn)芯片封裝廠(chǎng)。

美國(guó)總統(tǒng)喬·拜登與韓國(guó)總統(tǒng)尹錫烈于5月訪(fǎng)問(wèn)平澤的三星電子工廠(chǎng)

在中國(guó)，兩家大廠(chǎng)也撒下不少投資。

三星在中國(guó)西安的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)是該國(guó)最大的外國(guó)芯片項(xiàng)目之一，自2012年破土動(dòng)工以來(lái)，該公司已累計(jì)投資約260億美元。

根據(jù)TrendForce去年底的數(shù)據(jù)，西安工廠(chǎng)占三星全球NAND閃存產(chǎn)能的43%，占全球總產(chǎn)能的15%。

而SK海力士剛在去年年底完成了以90億美元收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù)的第一階段，其中就包括位于大連的NAND制造工廠(chǎng)。

同時(shí)，SK海力士在無(wú)錫的DRAM內(nèi)存芯片工廠(chǎng)，也極可能受到影響。因?yàn)橛捎诿绹?guó)的阻撓，SK海力士無(wú)法使用荷蘭公司ASML制造的最新極紫外光刻 (EUV) 芯片制造機(jī)，升級(jí)其在無(wú)錫的DRAM存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)設(shè)施。

專(zhuān)家表示，美國(guó)的制裁將會(huì)帶來(lái)巨大的代價(jià)——破壞脆弱的全球芯片供應(yīng)鏈，畢竟三星和SK海力士控制著全球50%以上的NAND閃存芯片市場(chǎng)。

在全球經(jīng)濟(jì)放緩的情況下，消費(fèi)者的需求本就十分疲軟，又恰逢全球芯片供應(yīng)短缺，美國(guó)導(dǎo)致的新一輪動(dòng)蕩已經(jīng)開(kāi)始擾亂從汽車(chē)到電子設(shè)備的市場(chǎng)。

現(xiàn)在，全球的芯片短缺本就尚未解決，任何新的動(dòng)蕩跡象都會(huì)點(diǎn)燃市場(chǎng)的焦慮，引發(fā)價(jià)格的飆升。

此外，制造芯片用設(shè)備在生產(chǎn)開(kāi)始的幾個(gè)月前就必須完成安裝，并進(jìn)行全面測(cè)試。將設(shè)備運(yùn)往中國(guó)的任何延遲都將對(duì)芯片制造商構(gòu)成極大的挑戰(zhàn)。

「許多美國(guó)公司都使用三星和 SK 海力士的存儲(chǔ)芯片。無(wú)論（三星和 SK 海力士）最終選擇何種戰(zhàn)略，都會(huì)產(chǎn)生全球性的影響?！笲NK Securities分析師Lee表示。

存儲(chǔ)芯片也被針對(duì)

據(jù)路透社報(bào)道，美國(guó)正在考慮禁止向中國(guó)出口用于制造先進(jìn)NAND存儲(chǔ)芯片的設(shè)備。

就在幾天前，以參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖查克·舒默為首的多位美國(guó)參議員致信美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)，要求將長(zhǎng)江存儲(chǔ)等中國(guó)芯片制造商加入美國(guó)貿(mào)易黑名單。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)及其母公司紫光集團(tuán)還沒(méi)有就此發(fā)表意見(jiàn)。

時(shí)值美國(guó)加大力度遏制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之際，這一消息顯得尤為敏感。

與此同時(shí)，中國(guó)正在推動(dòng)戰(zhàn)略經(jīng)濟(jì)部門(mén)實(shí)現(xiàn)更大程度的自給自足，以減少對(duì)此類(lèi)技術(shù)進(jìn)口的依賴(lài)。

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商Lam Research和KLA Corp表示，美國(guó)正在推動(dòng)對(duì)中國(guó)實(shí)施更嚴(yán)格的出口法規(guī)，涵蓋制造14納米及以下芯片所需的設(shè)備。

此舉使得中國(guó)頂級(jí)芯片制造商——中芯國(guó)際（SMIC）進(jìn)軍先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域的腳步變得更為艱難。

中芯國(guó)際在2020年12月，被加入了美國(guó)的實(shí)體限制名單。但長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年以來(lái)，卻始終與美國(guó)保持良好關(guān)系，從未登上任何美國(guó)的貿(mào)易黑名單。

就在禁令的報(bào)道發(fā)布之際，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還一直在加緊建設(shè)其在武漢的第二家制造廠(chǎng)。據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道，該公司于6月開(kāi)始在新芯片廠(chǎng)安裝設(shè)備，最早可在2023年生產(chǎn)196層3D NAND閃存。

不可否認(rèn)的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)現(xiàn)在仍然嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口芯片制造設(shè)備。

中信證券首席電子分析師徐濤在最近的一份研究報(bào)告中表示，截至今年7月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)只有18%的制造設(shè)備來(lái)自國(guó)內(nèi)企業(yè)。

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與貿(mào)易研究所高級(jí)研究員金陽(yáng)鵬表示：「很明顯，如果沒(méi)有美國(guó)的技術(shù)來(lái)源，對(duì)中國(guó)來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體生產(chǎn)是相當(dāng)困難的。
 

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